VS-GB200TH120N - IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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9117 Pieces
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Spécifications pour VS-GB200TH120N
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
VS-GB200TH120N
Fabricant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description :
IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type IGBT :
-
Configuration :
Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
360A
Puissance - Max :
1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 200A
Courant - Coupure Collecteur (Max) :
5mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce :
14.9nF @ 25V
Contribution :
Standard
Thermistance NTC :
No
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Package d'appareils du fournisseur :
Double INT-A-PAK
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour VS-GB200TH120N
Feuilles de données :
VS-GB200TH120N.pdf
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