NSBA113EF3T5G - TRANS PREBIAS DUAL PNP
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Brève description
TRANS PREBIAS DUAL PNP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NSBA113EF3T5G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NSBA113EF3T5G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : TRANS PREBIAS DUAL PNP
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V
Résistance - Base (R1) : 1 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 1 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 5mA, 10mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA
Fréquence - Transition : -
Puissance - Max : 254mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-1123
Package d'appareils du fournisseur : SOT-1123
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NSBA113EF3T5G
Feuilles de données : NSBA113EF3T5G.pdf
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