NSVBC114EPDXV6T1G - TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
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Brève description
TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NSVBC114EPDXV6T1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NSVBC114EPDXV6T1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V
Résistance - Base (R1) : 10 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 10 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA
Fréquence - Transition : -
Puissance - Max : 500mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : SOT-563
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NSVBC114EPDXV6T1G
Feuilles de données : NSVBC114EPDXV6T1G.pdf
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