JAN1N6639US - DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-JAN1N6639US
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
46158 Pieces
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Spécifications pour JAN1N6639US
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : JAN1N6639US
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF
Séries : Military, MIL-PRF-19500/609
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 75V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 300mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.2V @ 300mA
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 4ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 75V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SQ-MELF, B
Package d'appareils du fournisseur : D-5B
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour JAN1N6639US
Feuilles de données : JAN1N6639US.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4700PF 14KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
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