HN4K03JUTE85LF - MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

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MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HN4K03JUTE85LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : HN4K03JUTE85LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8.5pF @ 3V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 200mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : USV
Paquet / caisse : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : HN4K , HN4K03J

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Feuilles de données : HN4K03JUTE85LF.pdf

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