SCT10N120 - MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SCT10N120
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
45312 Pieces
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Spécifications pour SCT10N120
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SCT10N120
Fabricant :
STMicroelectronics
La description :
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 20V
Vgs (Max) :
+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 400V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
150W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
HiP247™
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SCT10N120
Feuilles de données :
SCT10N120.pdf
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