IRLZ24NSTRLPBF - MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
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Brève description
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRLZ24NSTRLPBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRLZ24NSTRLPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRLZ24NSTRLPBF
Feuilles de données : IRLZ24NSTRLPBF.pdf
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