NTD18N06L-1G - MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NTD18N06L-1G
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NTD18N06L-1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NTD18N06L-1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 5V
Vgs (Max) : ±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 675pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NTD18N06L-1G
Feuilles de données : NTD18N06L-1G.pdf
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