TSM2NB60CH C5G - MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251

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MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
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Spécifications pour TSM2NB60CH C5G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TSM2NB60CH C5G
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 249pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 44W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-251 (IPAK)
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TSM2 , TSM2NB6

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