FDD86102 - MOSFET N-CH 100V 8A DPAK

Référence fabricant

FDD86102

Numéro de pièce interne

AX-FDD86102

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 8A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

700215 Pieces

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Spécifications pour FDD86102

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDD86102

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 8A DPAK

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Ta), 36A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1035pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 62W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D-PAK (TO-252)

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDD8

Documents pour FDD86102

Feuilles de données : FDD86102.pdf

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