NDS8852H - MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NDS8852H
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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Spécifications pour NDS8852H
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NDS8852H
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.3A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 15V
Puissance - Max : 1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NDS8852H
Feuilles de données : NDS8852H.pdf
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