PMDPB38UNE,115 - MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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28378 Pieces
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Spécifications pour PMDPB38UNE,115
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
PMDPB38UNE,115
Fabricant :
NXP USA Inc.
La description :
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
4.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
268pF @ 10V
Puissance - Max :
510mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur :
DFN2020-6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour PMDPB38UNE,115
Feuilles de données :
PMDPB38UNE,115.pdf
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