MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E - IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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22652 Pieces
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Spécifications pour MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Fabricant :
Micron Technology Inc.
La description :
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de mémoire :
Non-Volatile
Format de mémoire :
FLASH, RAM
La technologie :
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Taille mémoire :
4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Fréquence d'horloge :
533MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
-
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.8V
Température de fonctionnement :
-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage :
-
Paquet / caisse :
-
Package d'appareils du fournisseur :
-
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Liens connexes :
MT29RZ4B , MT29RZ4B2DZZ
Documents pour MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Feuilles de données :
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf
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