APTGT75H60T1G - POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
17240 Pieces
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Spécifications pour APTGT75H60T1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
APTGT75H60T1G
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type IGBT :
Trench Field Stop
Configuration :
Full Bridge Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
100A
Puissance - Max :
250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 75A
Courant - Coupure Collecteur (Max) :
250µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce :
4.62nF @ 25V
Contribution :
Standard
Thermistance NTC :
Yes
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
SP1
Package d'appareils du fournisseur :
SP1
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour APTGT75H60T1G
Feuilles de données :
APTGT75H60T1G.pdf
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CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R |
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