IXFH6N100F - MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFH6N100F
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
52950 Pieces
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Spécifications pour IXFH6N100F
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IXFH6N100F
Fabricant :
IXYS-RF
La description :
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Séries :
HiPerRF™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1770pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
180W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-247 (IXFH)
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IXFH6N100F
Feuilles de données :
IXFH6N100F.pdf
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