BAS516,L3F - DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BAS516,L3F
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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16942285 Pieces
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Spécifications pour BAS516,L3F
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BAS516,L3F
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 250mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.25V @ 150mA
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 3ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 200nA @ 80V
Capacité @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SC-79, SOD-523
Package d'appareils du fournisseur : ESC
Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BAS516,L3F
Feuilles de données : BAS516,L3F.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. | ||
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