RN1104MFV,L3F - TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
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TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RN1104MFV,L3F
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RN1104MFV,L3F
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V
Résistance - Base (R1) : 47 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 47 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA
Fréquence - Transition : -
Puissance - Max : 150mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-723
Package d'appareils du fournisseur : VESM
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RN1104MFV,L3F
Feuilles de données : RN1104MFV,L3F.pdf
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