PMFPB6532UP,115 - MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
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Brève description
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMFPB6532UP,115
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
PMFPB6532UP,115
Fabricant :
NXP USA Inc.
La description :
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 10V
Caractéristique FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) :
520mW (Ta), 8.3W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DFN2020-6
Paquet / caisse :
6-UDFN Exposed Pad
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour PMFPB6532UP,115
Feuilles de données :
PMFPB6532UP,115.pdf
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