IRFU3303PBF - MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRFU3303PBF
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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Spécifications pour IRFU3303PBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRFU3303PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 33A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 57W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : IPAK (TO-251)
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRFU3303PBF
Feuilles de données : IRFU3303PBF.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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