SIDR140DP-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Référence fabricant

SIDR140DP-T1-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SIDR140DP-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SIDR140DP-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIDR140DP-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Séries : TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 79A (Ta), 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.67 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V

Vgs (Max) : +20V, -16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8150pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8DC

Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIDR1 , SIDR140D

Documents pour SIDR140DP-T1-GE3

Feuilles de données : SIDR140DP-T1-GE3.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 220PF 100V BP 1805.
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WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
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PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WI140266WJ10336BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
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