IRC640PBF - MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5

Référence fabricant

IRC640PBF

Numéro de pièce interne

AX-IRC640PBF

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour IRC640PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRC640PBF

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V

Caractéristique FET : Current Sensing

Dissipation de puissance (max) : 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-5

Paquet / caisse : TO-220-5

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRC , IRC6

Documents pour IRC640PBF

Feuilles de données : IRC640PBF.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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