IRLL2705PBF - MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

Référence fabricant

IRLL2705PBF

Numéro de pièce interne

AX-IRLL2705PBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRLL2705PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRLL2705PBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-223

Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRL , IRLL2

Documents pour IRLL2705PBF

Feuilles de données : IRLL2705PBF.pdf

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