IXFB30N120P - MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFB30N120P
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXFB30N120P
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IXFB30N120P
Fabricant :
IXYS
La description :
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Séries :
HiPerFET™, PolarP2™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
310nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
22500pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1250W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
PLUS264™
Paquet / caisse :
TO-264-3, TO-264AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IXFB30N120P
Feuilles de données :
IXFB30N120P.pdf
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