RQ3E130MNTB1 - MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RQ3E130MNTB1
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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1113340 Pieces
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Spécifications pour RQ3E130MNTB1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
RQ3E130MNTB1
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Séries :
-
Statut de la pièce :
Not For New Designs
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
13A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.1 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
840pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2W (Ta)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-HSMT (3.2x3)
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour RQ3E130MNTB1
Feuilles de données :
RQ3E130MNTB1.pdf
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