IPS80R1K4P7AKMA1 - MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL

Référence fabricant
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MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPS80R1K4P7AKMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPS80R1K4P7AKMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 700µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : 32W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO251-3
Paquet / caisse : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPS80 , IPS80R1K

Documents pour IPS80R1K4P7AKMA1

Feuilles de données : IPS80R1K4P7AKMA1.pdf

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