TPCC8003-H(TE12LQM - MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

Référence fabricant

TPCC8003-H(TE12LQM

Numéro de pièce interne

AX-TPCC8003-H(TE12LQM

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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51852 Pieces

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Spécifications pour TPCC8003-H(TE12LQM

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TPCC8003-H(TE12LQM

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

Séries : U-MOSVI-H

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.9 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 200µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta), 22W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TPCC80 , TPCC8003-

Documents pour TPCC8003-H(TE12LQM

Feuilles de données : TPCC8003-H(TE12LQM.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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