2N6660JTXV02 - MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

Référence fabricant

2N6660JTXV02

Numéro de pièce interne

AX-2N6660JTXV02

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour 2N6660JTXV02

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 2N6660JTXV02

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 990mA (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 725mW (Ta), 6.25W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-205AD (TO-39)

Paquet / caisse : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 2N66 , 2N6660

Documents pour 2N6660JTXV02

Feuilles de données : 2N6660JTXV02.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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