TK10Q60W,S1VQ - MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

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MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
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Spécifications pour TK10Q60W,S1VQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK10Q60W,S1VQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Séries : DTMOSIV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 300V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 80W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Paquet / caisse : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK10 , TK10Q6

Documents pour TK10Q60W,S1VQ

Feuilles de données : TK10Q60W,S1VQ.pdf

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