IPA50R650CE - MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

Référence fabricant

IPA50R650CE

Numéro de pièce interne

AX-IPA50R650CE

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPA50R650CE

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPA50R650CE

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 500V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.1A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 150µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 342pF @ 100V

Caractéristique FET : Super Junction

Dissipation de puissance (max) : 27.2W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-FP

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPA , IPA50

Documents pour IPA50R650CE

Feuilles de données : IPA50R650CE.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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