STP80N6F6 - MOSFET N-CH 60V TO-220
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STP80N6F6
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V TO-220
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour STP80N6F6
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STP80N6F6
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 60V TO-220
Séries : Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7480pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 120W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour STP80N6F6
Feuilles de données : STP80N6F6.pdf
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