SIR188DP-T1-RE3 - MOSFET N-CHAN 60V
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Brève description
MOSFET N-CHAN 60V
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIR188DP-T1-RE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIR188DP-T1-RE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CHAN 60V
Séries : TrenchFET® Gen IV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25.5A (Ta), 60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1920pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8
Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SIR188DP-T1-RE3
Feuilles de données : SIR188DP-T1-RE3.pdf
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