EPC2012C - GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

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GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour EPC2012C

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EPC2012C
Fabricant : EPC
La description : GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Séries : eGaN®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Die Outline (4-Solder Bar)
Paquet / caisse : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : EPC2012C.pdf

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