STH110N10F7-6 - MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

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MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
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Spécifications pour STH110N10F7-6

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STH110N10F7-6
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Séries : DeepGATE™, STripFET™ VII
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5117pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : H2PAK-6
Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : STH1 , STH110

Documents pour STH110N10F7-6

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