TJ50S06M3L(T6L1,NQ - MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3

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MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
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Spécifications pour TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Séries : U-MOSVI
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 10V
Vgs (Max) : +10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6290pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 90W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DPAK+
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TJ50S0 , TJ50S06M3

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