3LP01C-TB-E - MOSFET P-CH 30V 100MA CP

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MOSFET P-CH 30V 100MA CP
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Spécifications pour 3LP01C-TB-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 3LP01C-TB-E
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 30V 100MA CP
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.43nC @ 10V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7.5pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 250mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 3-CP
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 3LP , 3LP01

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Feuilles de données : 3LP01C-TB-E.pdf

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