1N4935GHB0G - DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

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DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N4935GHB0G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N4935GHB0G
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.2V @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 200ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 200V
Capacité @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : DO-204AL, DO-41, Axial
Package d'appareils du fournisseur : DO-204AL (DO-41)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 1N4 , 1N493

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Feuilles de données : 1N4935GHB0G.pdf

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