AS4C16M16S-6BIN - IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
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Spécifications pour AS4C16M16S-6BIN

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C16M16S-6BIN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM
Taille mémoire : 256Mb (16M x 16)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 12ns
Temps d'accès : 5.4ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 54-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 54-TFBGA (8x8)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : AS4C1 , AS4C16M

Documents pour AS4C16M16S-6BIN

Feuilles de données : AS4C16M16S-6BIN.pdf

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