RD3H160SPFRATL - RD3H160SPFRA IS A POWER MOSFET F
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Fabricant
Brève description
RD3H160SPFRA IS A POWER MOSFET F
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RD3H160SPFRATL
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
RD3H160SPFRATL
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
RD3H160SPFRA IS A POWER MOSFET F
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
45V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
16A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
20W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-252
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour RD3H160SPFRATL
Feuilles de données :
RD3H160SPFRATL.pdf
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