EPC2022 - GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC2022
Fabricant
Brève description
GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
97940 Pieces
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Spécifications pour EPC2022
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
EPC2022
Fabricant :
EPC
La description :
GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
Séries :
eGaN®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 12mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
-
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
Die
Paquet / caisse :
Die
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour EPC2022
Feuilles de données :
EPC2022.pdf
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