TK7J90E,S1E - MOSFET N-CH 900V TO-3PN

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK7J90E,S1E

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK7J90E,S1E
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Séries : π-MOSVIII
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 700µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 200W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-3P(N)
Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK7 , TK7J9

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Feuilles de données : TK7J90E,S1E.pdf

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