BSS209PW L6327 - MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
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MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSS209PW L6327
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSS209PW L6327
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 580mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 3.5µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.38nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 89.9pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT323-3
Paquet / caisse : SC-70, SOT-323
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BSS209PW L6327
Feuilles de données : BSS209PW L6327.pdf
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