2SK2231(TE16R1,NQ) - MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
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MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 2SK2231(TE16R1,NQ)
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
2SK2231(TE16R1,NQ)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
370pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
20W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PW-MOLD
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour 2SK2231(TE16R1,NQ)
Feuilles de données :
2SK2231(TE16R1,NQ).pdf
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