DMG6602SVTQ-7 - MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

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Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMG6602SVTQ-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMG6602SVTQ-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 15V
Puissance - Max : 840mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur : TSOT-26
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMG6 , DMG660

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Feuilles de données : DMG6602SVTQ-7.pdf

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