BUK9K89-100E,115 - MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
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MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BUK9K89-100E,115
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BUK9K89-100E,115
Fabricant :
Nexperia USA Inc.
La description :
MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Séries :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
12.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
16.8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1108pF @ 25V
Puissance - Max :
38W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-1205, 8-LFPAK56
Package d'appareils du fournisseur :
LFPAK56D
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BUK9K89-100E,115
Feuilles de données :
BUK9K89-100E,115.pdf
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