SSM6N48FU,RF(D - MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour SSM6N48FU,RF(D
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SSM6N48FU,RF(D
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
15.1pF @ 3V
Puissance - Max :
300mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur :
US6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SSM6N48FU,RF(D
Feuilles de données :
SSM6N48FU,RF(D.pdf
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