SSM6N48FU,RF(D - MOSFET 2N-CH 30V 0.1A

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MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
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Spécifications pour SSM6N48FU,RF(D

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM6N48FU,RF(D
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15.1pF @ 3V
Puissance - Max : 300mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : US6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM6 , SSM6N48

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Feuilles de données : SSM6N48FU,RF(D.pdf

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