PMN20EN,115 - MOSFET N-CH 30V 6TSOP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PMN20EN,115
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 6TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour PMN20EN,115
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMN20EN,115
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 30V 6TSOP
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.7A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 545mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP
Paquet / caisse : SC-74, SOT-457
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PMN20EN,115
Feuilles de données : PMN20EN,115.pdf
Produits associés pour PMN20EN,115 NXP USA Inc.
| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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