CSD19532Q5BT - MOSFET N-CH 100V 100A VSON
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD19532Q5BT
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 100A VSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
271225 Pieces
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Spécifications pour CSD19532Q5BT
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
CSD19532Q5BT
Fabricant :
Texas Instruments
La description :
MOSFET N-CH 100V 100A VSON
Séries :
NexFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4810pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-VSON-CLIP (5x6)
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour CSD19532Q5BT
Feuilles de données :
CSD19532Q5BT.pdf
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