DMN30H4D0L-7 - MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-DMN30H4D0L-7
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN30H4D0L-7
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DMN30H4D0L-7
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
300V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
250mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
187.3pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
310mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-23
Paquet / caisse :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour DMN30H4D0L-7
Feuilles de données :
DMN30H4D0L-7.pdf
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