TK39N60X,S1F - MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TK39N60X,S1F
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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71275 Pieces
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Spécifications pour TK39N60X,S1F
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TK39N60X,S1F
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
Séries :
DTMOSIV-H
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
38.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.9mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 300V
Caractéristique FET :
Super Junction
Dissipation de puissance (max) :
270W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-247
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TK39N60X,S1F
Feuilles de données :
TK39N60X,S1F.pdf
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