K4UHE3D4AA-GUCL - 24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production

Référence fabricant

K4UHE3D4AA-GUCL

Numéro de pièce interne

AX-K4UHE3D4AA-GUCL

Fabricant

Samsung Semiconductor

Brève description

24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production

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Spécifications pour K4UHE3D4AA-GUCL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : K4UHE3D4AA-GUCL

Fabricant : Samsung Semiconductor

La description : 24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production

Séries : DDR3

Densité : 24 Gb

Org. : x32

La vitesse : 4266 Mbps

Tension : 1.8 / 1.1 / 0.6 V

Temp. : -40 ~ 125 °C

Paquet : 200FBGA

État du produit : Mass Production

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : K4UHE , K4UHE3D

Documents pour K4UHE3D4AA-GUCL

Feuilles de données : K4UHE3D4AA-GUCL.pdf

Produits associés pour K4UHE3D4AA-GUCL Samsung Semiconductor

Numéro d'article	Marque	La description
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PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.